BaTiO3復(fù)合硅膠對(duì) IGBT 模塊內(nèi)部電場(chǎng)分布的影響 王昭，劉曜寧 （中車永濟(jì)電機(jī)有限公司 半導(dǎo)體分公司，陜西 西安 710018） 摘要: 隨著 IGBT 高壓功率模塊的發(fā)展，模塊內(nèi)部電場(chǎng)絕緣問(wèn)題也顯得越來(lái)越重要。功率模塊封裝中使用的硅 凝膠的電場(chǎng)承受能力直接影響了整個(gè)模塊的絕緣表現(xiàn)。目前已經(jīng)有學(xué)者研究了一系列方法來(lái)優(yōu)化電場(chǎng)表現(xiàn)，提高可 靠性。本文通過(guò)使用有限元分析方法，分析和確定模塊中最大電場(chǎng)存在的位置并提出相應(yīng)的優(yōu)化解決方案。 關(guān)鍵詞: IGBT 模塊；硅膠；BaTiO3；有限元分析；電場(chǎng)模擬；局部放電 中圖分類號(hào): TM215.92 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼:A 文章編號(hào):