2016年12月，半導體分公司研制成功 1700V/1200A SiC JBS二極管混合IGBT模塊，成功的完成了SiC JBS二極管與Si IGBT的混封封裝。

SiC JBS二極管混合IGBT模塊相對于傳統IGBT模塊，具有模塊開通時電流過沖及電壓過沖小的特點，使得模塊的實際使用電流、電壓提高，對于同規格的變流柜，可減少IGBT模塊的數量，使得整體成本降低，同時，使得IGBT混合模塊可是實現更高的開關頻率。

目前，僅有英飛凌、ABB、三菱、富士電機等少數幾家國際知名企業掌握有該產品的封裝設計制造技術。該產品的研制成功填補了我國在IGBT混合模塊領域的空白。